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    簡單介紹下便攜式IGBT測試儀測試的基礎知識
  • 發布日期:2022-03-26      瀏覽次數:177
    •   便攜式IGBT測試儀測試的IGBT參數包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態集極漏流)、VF(二極管壓降)、GFS(跨導)、rCE(導通電阻)等全直流參數,便攜式IGBT測試儀廠家, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。
        半導體元件全自動測試系統,可以元件在工作狀態下的電流及電壓,并測量重要參數的數據,再與原出廠指標比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊,都具有單獨的供電系統,以便在測試時,提供內部電路及電池組充電之用; 可選購外部高壓模塊,執行關閉狀態參數測試如:各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。
        當功率元件老化時,元件的內阻在導通時---會加大,因而使溫度升高,并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時,會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加),進而使半導體的接口產生大量崩潰,而將此元件完全燒毀。當元件損毀時,會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯使用的功率元件一并損傷,所以,需要即早發現更換。
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