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    雪崩能量測試儀

    更新時間:2019-01-11

    簡要描述:

    雪崩能量測試儀系統主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達2000J。

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    半導體分立器件作為在電力電子行業中應用為廣泛的基礎元件,其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流,滿足一定的雪崩耐量。

    雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數據傳輸給計算機,計算機將測試數據以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。

     

    HUSTEC2020 雪崩能量測試儀

    功能指標:

    配置

    測試范圍

    測試參數

    條件

    范圍

    電壓
    1000V 

    IGBTs
    絕緣柵雙極型晶體管 

    EAS/單脈沖雪崩能量

    VCE

    20V~4500V

    20~100V±3%±1V
    100~1000V±3%±5V 
    1000V~4500V±3%±10V

    電流
    200A

    MOSFETs
    MOS場效應管

    EAR/重復脈沖雪崩能量 

    Ic

    1mA~200A

    1mA~100mA±3%±0.1mA
    100mA~2A±3%±5mA 
    2A~200A±3%±50mA

     

    DIODEs
    二極管

    IAS/單脈沖雪崩電流

    Ea

    1J~2000J

    1J~100J±3%±1J
    100J~500J±3%±5J 
    500J~2000J±3%±10J

       

    PAS/單脈沖雪崩功率

    IC檢測

    50mV/A(取決于傳感器)

         

    感性負載

    10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

         

    重復間隙時間 

    1~60s可調(步進1s) 重復次數:1~50次

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